IPD25CN10NGATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,430 € |
| 10+ | 0,964 € |
| 100+ | 0,685 € |
| 500+ | 0,541 € |
| 1000+ | 0,484 € |
| 5000+ | 0,440 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IPD25CN10N G handelt es sich um einen 100V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der herausragende Lösungen für Schaltnetzteile mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte bietet. Im Vergleich zu anderen Transistoren erreicht dieser MOSFET eine Reduktion von 30% des RDS(on) und der Güterzahl. Die OptiMOS™-MOSFET zeichnen sich durch den branchenweit niedrigsten RDS(on) innerhalb der Spannungsklassen aus. Sie eignen sich hervorragend für Hochfrequenz-Schaltanwendungen und bieten eine optimierte Technologie für DC/DC-Wandler.
- Hervorragende Schaltleistung
- Umweltfreundlich
- Höherer Wirkungsgrad
- Höchste Leistungsdichte
- Erfordert weniger Parallelschaltung
- Kleinster Platzverbrauch auf der Platine
- Einfaches Design
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie, Audio
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
35A
TO-252 (DPAK)
10V
71W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
100V
0.019ohm
Oberflächenmontage
3V
3Pin(s)
-
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IPD25CN10NGATMA1
1 Produkt(e) gefunden
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
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RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat