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IPD25CN10NGATMA1

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 35 A, 0.019 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage

INFINEON IPD25CN10NGATMA1

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
IPD25CN10NGATMA1
Bestellnummer:
2212856
Auch bekannt als:
IPD25CN10N G, SP001127810
Technisches Datenblatt:
IPD25CN10NGATMA1   Datasheet
Technische Dokumentation anzeigen

Produktbeschreibung

Beim Modell IPD25CN10N G handelt es sich um einen 100V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der herausragende Lösungen für Schaltnetzteile mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte bietet. Im Vergleich zu anderen Transistoren erreicht dieser MOSFET eine Reduktion von 30% des RDS(on) und der Güterzahl. Die OptiMOS™-MOSFET zeichnen sich durch den branchenweit niedrigsten RDS(on) innerhalb der Spannungsklassen aus. Sie eignen sich hervorragend für Hochfrequenz-Schaltanwendungen und bieten eine optimierte Technologie für DC/DC-Wandler.
  • Hervorragende Schaltleistung
  • Umweltfreundlich
  • Höherer Wirkungsgrad
  • Höchste Leistungsdichte
  • Erfordert weniger Parallelschaltung
  • Kleinster Platzverbrauch auf der Platine
  • Einfaches Design

Anwendungen

Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie, Audio

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab

Produktspezifikationen

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:
n-Kanal

:
100V

:
35A

:
0.019ohm

:
TO-252 (DPAK)

:
Oberflächenmontage

:
10V

:
3V

:
71W

:
3Pin(s)

:
175°C

:
-

:
-

:
MSL 3 - 168 Stunden
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IPD25CN10N G, SP001127810

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