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IPD053N06NATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD053N06NATMA1
Bestellnummer2480816RL
Auch bekannt alsIPD053N06N, SP000962138
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,548 € |
| 500+ | 0,515 € |
| 1000+ | 0,512 € |
| 5000+ | 0,485 € |
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD053N06NATMA1
Bestellnummer2480816RL
Auch bekannt alsIPD053N06N, SP000962138
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0053ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.8V
Verlustleistung83W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell IPD053N06N handelt es sich um einen OptiMOS™-n-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen (SNT). Zudem kann dieser Baustein für zahlreiche industrielle Anwendungen eingesetzt werden, einschließlich Mikro-Solarwechselrichter und DC/DC-Wandler mit hoher Schaltfrequenz.
- Höchster Systemwirkungsgrad
- Erfordert weniger Parallelschaltung
- Höhere Leistungsdichte
- Sehr geringes Spannungsüberschwingen
- Schutzart: MSL1
- 40% niedrigerer RDS (ON) im Vergleich zu alternativen Bausteinen
- Verbesserung der Gütezahl (FOM) um 40% im Vergleich zu ähnlichen Bausteinen
- 100% Avalanche-getestet
- Herausragender Wärmewiderstand
- Nach JEDEC qualifiziert für Zielanwendungen
- Halogenfrei, umweltfreundlich
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie, Kommunikation & Netzwerke, Computer & Computerperipheriegeräte, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
45A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
83W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0053ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.8V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00143
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