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IPB65R155CFD7ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 15 A, 0.132 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB65R155CFD7ATMA1
Bestellnummer3665098RL
ProduktpaletteCoolMOS CFD7 SJ
Auch bekannt alsIPB65R155CFD7, SP005413374
Technisches Datenblatt
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 19 Woche(n)
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,860 € |
| 500+ | 1,440 € |
| 1000+ | 1,240 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
191,00 € (ohne MwSt.)
Für dieses Produkte fällt eine Re-Reeling-Gebühr in Höhe von 5,00 € an
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB65R155CFD7ATMA1
Bestellnummer3665098RL
ProduktpaletteCoolMOS CFD7 SJ
Auch bekannt alsIPB65R155CFD7, SP005413374
Technisches Datenblatt
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.132ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.132ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung77W
Verlustleistung Pd77W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS CFD7 SJ
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.132ohm
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
77W
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS CFD7 SJ
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
15A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.132ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Verlustleistung Pd
77W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
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