IPB60R360P7ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.36 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,884 € |
| 500+ | 0,664 € |
| 1000+ | 0,511 € |
| 5000+ | 0,509 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Diese 600V-CoolMOS™ P7-Leistungstransistoren nutzen die revolutionäre CoolMOS-Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs. Sie wurden entwickelt in Übereinstimmung mit dem Superjunction (SJ)-Prinzip und eignen sich für den Einsatz in PFC-Stufen, hart schaltenden PWM-Stufen und resonanten Schaltstufen, z. B. für PC-Silverbox, Adapter, LCD- & PDP-TV, Beleuchtung, Server, Telekommunikation und USV.
- Geeignet für hartes und sanftes Schalten aufgrund einer äußerst robusten Kommutierung
- Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten
- Hervorragende ESD-Festigkeit: <gt/>2kV (HBM) für alle Produkte
- Bester RDS(on)/Gehäuse dieser Klasse
- Benutzerfreundlich und schnelles Design-In durch niedrige Ringing-Tendenz und Verwendung über PFC- und PWM-Stufen
- Vereinfachtes Wärmemanagement aufgrund der niedrigen Schalt- und Leitungsverluste
- Lösungen mit höherer Leistungsdichte
- Geeignet für zahlreiche Anwendungen und Leistungsbereiche
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
n-Kanal
9A
TO-263 (D2PAK)
10V
41W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
600V
0.36ohm
Oberflächenmontage
3.5V
3Pin(s)
CoolMOS P7
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IPB60R360P7ATMA1
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
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