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IPB60R160C6ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23.8 A, 0.14 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Bestellbar
Standardlieferzeit des Herstellers: 17 Woche(n)
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1000+ | 1,420 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1000
Mehrere: 1000
1.420,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB60R160C6ATMA1
Bestellnummer1860815
ProduktpaletteCoolMOS
Auch bekannt alsIPB60R160C6, SP000687552
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id23.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung176W
Anzahl der Pins2Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
23.8A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
176W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.14ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
2Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
6 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00143
Produktnachverfolgung