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IPB60R040C7ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB60R040C7ATMA1
Bestellnummer2986461RL
ProduktpaletteCoolMOS C7
Auch bekannt alsIPB60R040C7, SP001277610
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10+ | 6,780 € |
| 50+ | 6,110 € |
| 100+ | 5,060 € |
| 250+ | 5,040 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB60R040C7ATMA1
Bestellnummer2986461RL
ProduktpaletteCoolMOS C7
Auch bekannt alsIPB60R040C7, SP001277610
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.04ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.5V
Verlustleistung227W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolMOS C7
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
600V CoolMOS™ C7 power transistor, a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. Designed according to the superjunction (SJ) principle suitable for use in PFC stages and PWM stages (TTF, LLC) for high power/performance SMPS e.g. computing, server, telecom, UPS and solar.
- Suitable for hard and soft switching (PFC and high performance LLC)
- Increased MOSFET dv/dt ruggedness to 120V/ns
- Best in class RDS(on)/package
- Qualified for industrial grade applications according to JEDEC(J-STD20 and JESD22)
- Increased economies of scale by use in PFC and PWM topologies in the application
- Higher dv/dt limit enables faster switching leading to higher efficiency
- Enabling higher system efficiency by lower switching losses
- Increased power density solutions due to smaller packages
- Higher switching frequencies possible without loss in efficiency due to low Eoss and Qg
Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
50A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
227W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.04ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004536
Produktnachverfolgung