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IPB144N12N3GATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 41 A, 0.0123 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB144N12N3GATMA1
Bestellnummer2480804RL
Auch bekannt alsIPB144N12N3 G, SP000694166
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,160 € |
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Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB144N12N3GATMA1
Bestellnummer2480804RL
Auch bekannt alsIPB144N12N3 G, SP000694166
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds120V
Dauer-Drainstrom Id41A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0123ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung107W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell IPB144N12N3 G handelt es sich um einen OptiMOS™-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, der den branchenweit niedrigsten Durchgangswiderstand (RDS(on)) und die höchsten Schaltfrequenzen bietet, wodurch eine herausragende Leistung in zahlreichen Anwendungen erzielt wird. Die 120V-OptiMOS™-Technologie bietet neue Möglichkeiten für optimierte Lösungen.
- Hervorragende Schaltleistung
- Niedrigster Durchgangswiderstand RDS(on)
- Sehr niedrige Qg und Qgd
- Hervorragende Gütezahl (FOM, Gateladung x RDS(ON))
- MSL1-Einstufung 2
- Umweltfreundlich
- Höherer Wirkungsgrad
- Höchste Leistungsdichte
- Erfordert weniger Parallelschaltung
- Kleinster Platzverbrauch auf der Platine
- Vereinfachtes Produktdesign
- Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen
- Halogenfrei, umweltfreundlich
- Ideal für Hochfrequenz-Schaltanwendungen und Synchrongleichrichtung
- Normal-Level
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Computer & Computerperipheriegeräte, Tragbare Geräte, LED-Beleuchtung
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
41A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
107W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
120V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0123ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00143