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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB120N04S402ATMA1
Bestellnummer2709995
ProduktpaletteOptiMOS-T2
Auch bekannt alsIPB120N04S4-02, SP000764726
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 1,240 € |
10+ | 1,100 € |
100+ | 1,030 € |
500+ | 1,020 € |
1000+ | 1,010 € |
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB120N04S402ATMA1
Bestellnummer2709995
ProduktpaletteOptiMOS-T2
Auch bekannt alsIPB120N04S4-02, SP000764726
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id120A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.00188ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung158W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS-T2
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
120A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
158W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.00188ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS-T2
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IPB120N04S402ATMA1
8 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0003
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