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IPB060N15N5ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 136 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 2,350 € |
| 500+ | 2,070 € |
| 1000+ | 1,910 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB060N15N5ATMA1
Bestellnummer3703521RL
ProduktpaletteOptiMOS 5
Auch bekannt alsIPB060N15N5, SP001607814
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds150V
Dauer-Drainstrom Id136A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0048ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.8V
Verlustleistung250W
Anzahl der Pins7Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS 5
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
136A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
250W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0048ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.8V
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung