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IPB017N10N5ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0017 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10+ | 3,940 € |
| 50+ | 3,690 € |
| 200+ | 2,860 € |
| 500+ | 2,730 € |
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Minimum: 10
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB017N10N5ATMA1
Bestellnummer2725835RL
ProduktpaletteOptiMOS 5
Auch bekannt alsIPB017N10N5, SP001227028
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id180A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0017ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung375W
Anzahl der Pins7Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS 5
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
180A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
375W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0017ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IPB017N10N5ATMA1
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001764
Produktnachverfolgung