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IMZ120R045M1XKSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 52 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-247
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 12,130 € |
| 5+ | 11,780 € |
| 10+ | 11,430 € |
| 50+ | 8,640 € |
| 100+ | 7,440 € |
| 250+ | 7,430 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMZ120R045M1XKSA1
Bestellnummer3227623
ProduktpaletteCoolSiC
Auch bekannt alsIMZ120R045M1, SP001346258
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id52A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.045ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung228W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.045ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Verlustleistung
228W
Produktpalette
CoolSiC
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IMZ120R045M1XKSA1
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0043
Produktnachverfolgung