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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMW65R027M1HXKSA1
Bestellnummer3500943
ProduktpaletteCoolSiC M1
Auch bekannt alsIMW65R027M1H, SP005398440
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 12,120 € |
5+ | 11,710 € |
10+ | 11,300 € |
50+ | 7,990 € |
100+ | 6,910 € |
250+ | 6,900 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
12,12 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMW65R027M1HXKSA1
Bestellnummer3500943
ProduktpaletteCoolSiC M1
Auch bekannt alsIMW65R027M1H, SP005398440
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id47A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.027ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung189W
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteCoolSiC M1
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
47A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.027ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
189W
Produktpalette
CoolSiC M1
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
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