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IMW120R140M1HXKSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 19 A, 1.2 kV, 0.14 ohm, TO-247
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 6,860 € |
| 10+ | 6,490 € |
| 100+ | 3,380 € |
| 500+ | 3,070 € |
| 1000+ | 3,010 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMW120R140M1HXKSA1
Bestellnummer3223680
ProduktpaletteCoolSiC
Auch bekannt alsIMW120R140M1H, SP001946184
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id19A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung94W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
19A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.14ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
94W
Produktpalette
CoolSiC
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IMW120R140M1HXKSA1
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Zugehörige Produkte
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung