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IMW120R090M1HXKSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 26 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 5,440 € |
| 5+ | 4,940 € |
| 10+ | 4,430 € |
| 50+ | 3,930 € |
| 100+ | 3,880 € |
| 250+ | 3,870 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMW120R090M1HXKSA1
Bestellnummer3223679
ProduktpaletteCoolSiC
Auch bekannt alsIMW120R090M1H, SP001946164
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id26A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.09ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins3Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung115W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
26A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.09ohm
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
115W
Produktpalette
CoolSiC
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IMW120R090M1HXKSA1
1 Produkt(e) gefunden
Zugehörige Produkte
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung