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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMLT65R050M2HXTMA1
Bestellnummer4445616
ProduktpaletteCoolSiC G2 Series
Auch bekannt alsIMLT65R050M2H, SP005968254
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 6,150 € |
5+ | 5,750 € |
10+ | 5,340 € |
50+ | 5,230 € |
100+ | 4,930 € |
250+ | 4,830 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
6,15 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMLT65R050M2HXTMA1
Bestellnummer4445616
ProduktpaletteCoolSiC G2 Series
Auch bekannt alsIMLT65R050M2H, SP005968254
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id47A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.046ohm
Bauform - TransistorHDSOP
Anzahl der Pins16Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.6V
Verlustleistung227W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
47A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.046ohm
Anzahl der Pins
16Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.6V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
HDSOP
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
227W
Produktpalette
CoolSiC G2 Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0007
Produktnachverfolgung