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IMCQ120R026M2HXTMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 82 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, HDSOP
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMCQ120R026M2HXTMA1
Bestellnummer4695754RL
Auch bekannt alsIMCQ120R026M2H, SP005927117
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10+ | 10,810 € |
| 50+ | 9,750 € |
| 100+ | 9,000 € |
| 250+ | 8,920 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMCQ120R026M2HXTMA1
Bestellnummer4695754RL
Auch bekannt alsIMCQ120R026M2H, SP005927117
Technisches Datenblatt
Produktbeschreibung
IMCQ120R026M2HXTMA1 is a N-channel CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET G2, ideal for a wide range of applications such as solid-state circuit breakers and relays, EV charging stations, online and industrial UPS systems, string inverters, general-purpose drives (GPD), commercial air vehicles (CAV), and servo drives.
- VDSS = 1200 V at Tvj = 25°C
- IDDC = 58A at TC = 100°C
- RDS(on) = 25.4mohm at VGS = 18V, Tvj = 25°C
- Very low switching losses
- Overload operation up to Tvj = 200°C
- Short circuit withstand time of 2µs
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2 V
- Robust against parasitic turn on, 0 V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung