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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMBG65R048M1HXTMA1
Bestellnummer3928616RL
ProduktpaletteCoolSiC M1 Trench Series
Auch bekannt alsSP005539172, IMBG65R048M1H
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
10+ | 6,560 € |
50+ | 5,720 € |
100+ | 4,880 € |
250+ | 4,780 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMBG65R048M1HXTMA1
Bestellnummer3928616RL
ProduktpaletteCoolSiC M1 Trench Series
Auch bekannt alsSP005539172, IMBG65R048M1H
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Wandlerpolaritätn-Kanal
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id45A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.048ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.048ohm
Bauform - TransistorTO-263
Anzahl der Pins7Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung183W
Verlustleistung Pd183W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC M1 Trench Series
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.048ohm
Anzahl der Pins
7Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Verlustleistung Pd
183W
Produktpalette
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
45A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.048ohm
Bauform - Transistor
TO-263
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
183W
Betriebstemperatur, max.
175°C
MSL
-
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001588
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