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IGT65R140D2XTMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 13 A, 0.17 ohm, 1.8 nC, HSOF, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGT65R140D2XTMA1
Bestellnummer4640396
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 3,980 € |
| 10+ | 2,850 € |
| 100+ | 2,280 € |
| 500+ | 1,910 € |
| 1000+ | 1,630 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
3,98 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGT65R140D2XTMA1
Bestellnummer4640396
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id13A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.17ohm
Gate-Ladung, typ.1.8nC
Bauform - TransistorHSOF
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.17ohm
Bauform - Transistor
HSOF
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
13A
Gate-Ladung, typ.
1.8nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
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