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IGT65R045D2XTMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HSOF, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 10+ | 6,590 € |
| 50+ | 5,900 € |
| 100+ | 5,360 € |
| 250+ | 5,250 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGT65R045D2XTMA1
Bestellnummer4640394RL
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.054ohm
Gate-Ladung, typ.6nC
Anzahl der Pins8Pin(s)
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.054ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
38A
Gate-Ladung, typ.
6nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung