IGT60R190D1SATMA1

Der IGT60R190D1SATMA1 ist ein für 600V ausgelegter CoolGaN™-Transistor vom Anreicherungstyp. Der IGT60R190D1 ermöglicht kompaktere Topologien und einen höheren Wirkungsgrad bei höherer Betriebsfrequenz. Er ist im Rahmen eines umfangreichen GaN-spezifischen Qualifikationsverfahrens zertifiziert, das die branchenüblichen Standards übertrifft. Der Transistor ist so ausgelegt, dass er eine optimale Verlustleistung erreicht, wie sie moderne Rechenzentren, Server, Telekommunikationssysteme, erneuerbare und vielfältige weitere Anwendungen erfordern. Typische Anwendungen umfassen: Industrie, Telekommunikation, Rechenzentren, SNT basierend auf Halbbrückentopologie (Halbbrückentopologien für hartes und weiches Schalten wie Totem-Pole-PFC, Hochfrequenz-LLC).

• Transistor vom Anreicherungstyp – Einschalter (normal AUS), äußerst hohe Schaltgeschwindigkeit
• Keine Sperrverzögerungsladung; Leiten in Sperrrichtung möglich
• Niedrige Gate-Ladung; niedrige Ausgangsladung; außergewöhnlich robuste Kommutierung
• Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC-Normen (JESD47 und JESD22)
• Höherer Systemwirkungsgrad; höhere Leistungsdichte
• Ermöglicht eine höhere Betriebsfrequenz; Einsparungen bei Systemkosten; bessere EMV
• Drain-Source-Spannung (kontinuierlich): 600V bei VGS = 0V, Tj = 25°C
• Drain-Source-Einschaltwiderstand: 0.19 Ohm bei IG = 9.6mA, ID = 5A, Tj = 25°C
• Bauform: PG-HSOF-8-3
• Betriebstemperatur: -55°C bis 150°C

Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.