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IGT60R190D1ATMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGT60R190D1ATMA1
Bestellnummer4220238
ProduktpaletteCoolGaN Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 5,750 € |
| 10+ | 5,120 € |
| 100+ | 4,530 € |
| 500+ | 3,870 € |
| 1000+ | 3,390 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGT60R190D1ATMA1
Bestellnummer4220238
ProduktpaletteCoolGaN Series
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm
Gate-Ladung, typ.3.2nC
Bauform - TransistorPG-HSOF-8-3
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.14ohm
Bauform - Transistor
PG-HSOF-8-3
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
12A
Gate-Ladung, typ.
3.2nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001