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IGOT65R025D2AUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 61 A, 0.03 ohm, 11 nC, SOIC, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGOT65R025D2AUMA1
Bestellnummer4573844
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGOT65R025D2, SP005882212
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 10,840 € |
| 5+ | 10,180 € |
| 10+ | 9,510 € |
| 50+ | 8,740 € |
| 100+ | 8,220 € |
| 250+ | 7,970 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
10,84 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGOT65R025D2AUMA1
Bestellnummer4573844
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGOT65R025D2, SP005882212
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id61A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.03ohm
Gate-Ladung, typ.11nC
Bauform - TransistorSOIC
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins20Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.03ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Anzahl der Pins
20Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
61A
Gate-Ladung, typ.
11nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Indonesia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Indonesia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001