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IGLT65R110D2ATMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLT65R110D2ATMA1
Bestellnummer4573846
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLT65R110D2, SP005934583
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 3,800 € |
| 10+ | 2,930 € |
| 100+ | 2,370 € |
| 500+ | 2,110 € |
| 1000+ | 1,800 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
3,80 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLT65R110D2ATMA1
Bestellnummer4573846
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLT65R110D2, SP005934583
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm
Gate-Ladung, typ.2.4nC
Bauform - TransistorHDSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins16Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.14ohm
Bauform - Transistor
HDSOP
Anzahl der Pins
16Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
15A
Gate-Ladung, typ.
2.4nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001