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IGLT65R045D2ATMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 38 A, 0.054 ohm, 6 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLT65R045D2ATMA1
Bestellnummer4573848
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLT65R045D2, SP005918712
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 10,550 € |
| 5+ | 9,630 € |
| 10+ | 8,700 € |
| 50+ | 7,860 € |
| 100+ | 6,970 € |
| 250+ | 6,760 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLT65R045D2ATMA1
Bestellnummer4573848
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLT65R045D2, SP005918712
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.054ohm
Gate-Ladung, typ.6nC
Bauform - TransistorHDSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins16Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.054ohm
Bauform - Transistor
HDSOP
Anzahl der Pins
16Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
38A
Gate-Ladung, typ.
6nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung