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IGLT65R025D2AUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 67 A, 0.03 ohm, 11 nC, HDSOP, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLT65R025D2AUMA1
Bestellnummer4573850
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLT65R025D2, SP005934582
Technisches Datenblatt
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 15,200 € |
| 5+ | 13,880 € |
| 10+ | 12,550 € |
| 50+ | 11,230 € |
| 100+ | 10,770 € |
| 250+ | 10,250 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
15,20 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLT65R025D2AUMA1
Bestellnummer4573850
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLT65R025D2, SP005934582
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id67A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.03ohm
Gate-Ladung, typ.11nC
Bauform - TransistorHDSOP
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins16Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.03ohm
Bauform - Transistor
HDSOP
Anzahl der Pins
16Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
67A
Gate-Ladung, typ.
11nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung