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IGLR70R270D2SXUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 7.3 A, 0.33 ohm, 1 nC, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLR70R270D2SXUMA1
Bestellnummer4694675
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLR70R270D2S, SP006123216
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,810 € |
| 10+ | 1,300 € |
| 100+ | 1,040 € |
| 500+ | 0,869 € |
| 1000+ | 0,742 € |
| 5000+ | 0,678 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLR70R270D2SXUMA1
Bestellnummer4694675
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Auch bekannt alsIGLR70R270D2S, SP006123216
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds700V
Dauer-Drainstrom Id7.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.33ohm
Gate-Ladung, typ.1nC
Bauform - TransistorTSON
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G5 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
700V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.33ohm
Bauform - Transistor
TSON
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
7.3A
Gate-Ladung, typ.
1nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung