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IGLR60R260D1XUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10.4 A, 0.2 ohm, 1.5 nC, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLR60R260D1XUMA1
Bestellnummer4228345
ProduktpaletteCollGaN Series
Auch bekannt alsIGLR60R260D1, SP005635199
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 5,210 € |
| 10+ | 4,640 € |
| 100+ | 4,080 € |
| 500+ | 3,720 € |
| 1000+ | 3,390 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLR60R260D1XUMA1
Bestellnummer4228345
ProduktpaletteCollGaN Series
Auch bekannt alsIGLR60R260D1, SP005635199
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id10.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.2ohm
Gate-Ladung, typ.1.5nC
Bauform - TransistorTSON
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins5Pin(s)
ProduktpaletteCollGaN Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativen für IGLR60R260D1XUMA1
1 Produkt(e) gefunden
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.2ohm
Bauform - Transistor
TSON
Anzahl der Pins
5Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
10.4A
Gate-Ladung, typ.
1.5nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CollGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000012