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IGLD65R110D2AUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 14 A, 0.14 ohm, 2.4 nC, LSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLD65R110D2AUMA1
Bestellnummer4680828RL
Auch bekannt alsIGLD65R110D2, SP005918714
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 3,320 € |
| 500+ | 2,990 € |
| 1000+ | 2,780 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLD65R110D2AUMA1
Bestellnummer4680828RL
Auch bekannt alsIGLD65R110D2, SP005918714
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.14ohm
Gate-Ladung, typ.2.4nC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.14ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
14A
Gate-Ladung, typ.
2.4nC
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung