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IGLD60R190D1AUMA3
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Oberflächenmontage
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGLD60R190D1AUMA3
Bestellnummer3775954RL
ProduktpaletteCoolGaN
Auch bekannt alsSP005557217, IGLD60R190D1
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id10A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.19ohm
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.0.19ohm
Gate-Ladung, typ.3.2nC
Bauform - TransistorLSON
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Alternativen für IGLD60R190D1AUMA3
1 Produkt(e) gefunden
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.19ohm
Gate-Ladung, typ.
3.2nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Dauer-Drainstrom Id
10A
Durchgangswiderstand, Rds(on), max.
0.19ohm
Bauform - Transistor
LSON
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001