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IGC037S12S1XTMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 120 V, 71 A, 0.0037 ohm, 10 nC, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGC037S12S1XTMA1
Bestellnummer4680817RL
Auch bekannt alsIGC037S12S1, SP006027453
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 2,430 € |
| 500+ | 2,040 € |
| 1000+ | 1,740 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGC037S12S1XTMA1
Bestellnummer4680817RL
Auch bekannt alsIGC037S12S1, SP006027453
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds120V
Dauer-Drainstrom Id71A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0037ohm
Gate-Ladung, typ.10nC
Anzahl der Pins6Pin(s)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
120V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0037ohm
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
71A
Gate-Ladung, typ.
10nC
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung