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IGC025S08S1XTMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 86 A, 0.0025 ohm, 12 nC, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGC025S08S1XTMA1
Bestellnummer4680816
ProduktpaletteCoolGaN Series
Auch bekannt alsIGC025S08S1, SP006027447
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 4,170 € |
| 10+ | 2,990 € |
| 100+ | 2,390 € |
| 500+ | 2,000 € |
| 1000+ | 1,710 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGC025S08S1XTMA1
Bestellnummer4680816
ProduktpaletteCoolGaN Series
Auch bekannt alsIGC025S08S1, SP006027447
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id86A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0025ohm
Gate-Ladung, typ.12nC
Bauform - TransistorTSON
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins6Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0025ohm
Bauform - Transistor
TSON
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
86A
Gate-Ladung, typ.
12nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung