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IGB110S10S1XTMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGB110S10S1XTMA1
Bestellnummer4680814RL
Auch bekannt alsIGB110S10S1, SP005751575
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,986 € |
| 500+ | 0,827 € |
| 1000+ | 0,705 € |
| 5000+ | 0,645 € |
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGB110S10S1XTMA1
Bestellnummer4680814RL
Auch bekannt alsIGB110S10S1, SP005751575
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.011ohm
Gate-Ladung, typ.3.4nC
Anzahl der Pins4Pin(s)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.011ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Dauer-Drainstrom Id
23A
Gate-Ladung, typ.
3.4nC
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung