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IGB110S101XTMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 23 A, 0.011 ohm, 3.4 nC, VSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGB110S101XTMA1
Bestellnummer4667115
ProduktpaletteCoolGaN G3 Series
Auch bekannt alsIGB110S101, SP005751574
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 1,760 € |
| 10+ | 1,270 € |
| 100+ | 1,010 € |
| 500+ | 0,847 € |
| 1000+ | 0,723 € |
| 5000+ | 0,661 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGB110S101XTMA1
Bestellnummer4667115
ProduktpaletteCoolGaN G3 Series
Auch bekannt alsIGB110S101, SP005751574
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id23A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.011ohm
Gate-Ladung, typ.3.4nC
Bauform - TransistorVSON
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN G3 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.011ohm
Bauform - Transistor
VSON
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
23A
Gate-Ladung, typ.
3.4nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN G3 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung