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IGB070S10S1XTMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 100 V, 38 A, 0.007 ohm, 6.1 nC, TSON, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGB070S10S1XTMA1
Bestellnummer4680813
ProduktpaletteCoolGaN Series
Auch bekannt alsIGB070S10S1, SP006039129
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 2,800 € |
| 10+ | 2,010 € |
| 100+ | 1,610 € |
| 500+ | 1,350 € |
| 1000+ | 1,150 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIGB070S10S1XTMA1
Bestellnummer4680813
ProduktpaletteCoolGaN Series
Auch bekannt alsIGB070S10S1, SP006039129
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id38A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.007ohm
Gate-Ladung, typ.6.1nC
Bauform - TransistorTSON
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
ProduktpaletteCoolGaN Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.007ohm
Bauform - Transistor
TSON
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
38A
Gate-Ladung, typ.
6.1nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
CoolGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00001
Produktnachverfolgung