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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIFS100B12N3E4B31BOSA1
Bestellnummer3703566
ProduktpaletteMIPAQ
Auch bekannt alsIFS100B12N3E4_B31, SP000643756
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationSechserpack [Vollbrücke]
DC-Kollektorstrom100A
Dauerkollektorstrom100A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung1.75V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)1.75V
Verlustleistung515W
Verlustleistung Pd515W
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussLötanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo1.2kV
Kollektor-Emitter-Spannung, max.1.2kV
IGBT-TechnologieIGBT 4 [Trench/Feldstop]
TransistormontagePlatte
ProduktpaletteMIPAQ
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Sechserpack [Vollbrücke]
Dauerkollektorstrom
100A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
1.75V
Verlustleistung Pd
515W
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
1.2kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
DC-Kollektorstrom
100A
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
1.75V
Verlustleistung
515W
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
1.2kV
IGBT-Technologie
IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Produktpalette
MIPAQ
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung