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IDW30G120C5BFKSA1
SiC-Schottky-Diode, thinQ 5G 1200V, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 87 A, 154 nC, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIDW30G120C5BFKSA1
Bestellnummer2780809
ProduktpalettethinQ 5G 1200V
Auch bekannt alsIDW30G120C5B, SP001123716
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 10,730 € |
| 5+ | 9,320 € |
| 10+ | 7,900 € |
| 50+ | 6,490 € |
| 100+ | 6,410 € |
| 250+ | 6,160 € |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIDW30G120C5BFKSA1
Bestellnummer2780809
ProduktpalettethinQ 5G 1200V
Auch bekannt alsIDW30G120C5B, SP001123716
Technisches Datenblatt
ProduktpalettethinQ 5G 1200V
DiodenkonfigurationZweifach, gemeinsame Kathode
Wiederkehrende Spitzensperrspannung1.2kV
Durchschnittlicher Durchlassstrom87A
Kapazitive Gesamtladung154nC
Bauform - DiodeTO-247
Anzahl der Pins3 Pins
Betriebstemperatur, max.175°C
DiodenmontageDurchsteckmontage
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Produktpalette
thinQ 5G 1200V
Wiederkehrende Spitzensperrspannung
1.2kV
Kapazitive Gesamtladung
154nC
Anzahl der Pins
3 Pins
Diodenmontage
Durchsteckmontage
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Diodenkonfiguration
Zweifach, gemeinsame Kathode
Durchschnittlicher Durchlassstrom
87A
Bauform - Diode
TO-247
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000426
Produktnachverfolgung