Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
1+ | 6,620 € |
5+ | 6,520 € |
10+ | 6,420 € |
50+ | 4,320 € |
100+ | 4,090 € |
250+ | 4,070 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Diese thinQ!™-1200V-SiC-Schottky-Dioden der 5. Generation eignen sich zum Einsatz in Solarwechselrichtern, in unterbrechungsfreien Stromversorgungen, in Motorantrieben und in der Leistungsfaktorkorrektur. Die Schottky-Dioden zeichnen sich durch einen höheren System-Wirkungsgrad im Vergleich zu Si-Dioden aus, wodurch Lösungen mit höherer Frequenz/höherer Leistungsdichte ermöglicht werden, sowie durch Einsparungen bei Systemgröße/Kosten aufgrund reduzierter Kühlanforderungen und kleinerer magnetischer Bauelemente, reduzierte elektromagnetische Interferenzen (EMI), einen äußerst hohen Wirkungsgrad über den gesamten Lastbereich, einen robusten Diodenbetrieb während Stoßspannungen und eine hohe Zuverlässigkeit.
- Revolutionäres Halbleitermaterial: Siliziumkarbid
- Kein Sperrverzögerungsstrom / keine Verzögerungszeit
- Temperaturunabhängiges Schaltverhalten
- Niedrige Durchlassspannung selbst bei hoher Betriebstemperatur
- Enge Durchlassspannungsverteilung
- Hervorragendes Wärmeverhalten
- Erweiterte Stoßstromfestigkeit
- Spezifizierte dv/dt-Festigkeit
- Nach JEDEC qualifiziert für Zielanwendungen
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
thinQ
1.2kV
82nC
2 Pins
Durchsteckmontage
No SVHC (21-Jan-2025)
Einfach
56A
TO-220
175°C
-
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat