IDDD06G65C6XTMA1
SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 18 A, 9.6 nC, HDSOP
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,680 € |
Produktspezifikationen
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Produktbeschreibung
Die CoolSiC™-Generation G6 ist die führende Technologie von Infineon für die SiC-Schottky-Barrier-Dioden. G6 ist eine Weiterentwicklung der G5-Technologie von Infineon mit der Einführung eines neuartigen Schottky-Metallsystems. Die CoolSiC™-Schottky-Diode G6 wurde entwickelt zum Vervollständigen der 600V- und 650V-CoolMOS™ 7-Produktfamilien und erfüllen die strengsten Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich. Diese Generation bietet wichtige Vorteile wie Einsparungen bei Systemkosten und -größe aufgrund der reduzierten Kühlanforderungen. Zudem ermöglicht sie eine höhere Frequenz und eine höhere Leistungsdichte.
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
CoolSiC 6G 650V
650V
9.6nC
10-polig
Oberflächenmontage
No SVHC (27-Jun-2018)
Einfach
18A
HDSOP
175°C
-
Technische Dokumente (2)
Zugehörige Produkte
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat