IDDD04G65C6XTMA1
SiC-Schottky-Diode, CoolSiC 6G 650V, Einfach, 650 V, 13 A, 6.9 nC, HDSOP
Produktspezifikationen
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Produktbeschreibung
Die CoolSiC™-Generation G6 ist die führende Technologie von Infineon für die SiC-Schottky-Barrier-Dioden. G6 ist eine Weiterentwicklung der G5-Technologie von Infineon mit der Einführung eines neuartigen Schottky-Metallsystems. Die CoolSiC™-Schottky-Diode G6 wurde entwickelt zum Vervollständigen der 600V- und 650V-CoolMOS™ 7-Produktfamilien und erfüllen die strengsten Anwendungsanforderungen in diesem Spannungsbereich. Diese Generation bietet wichtige Vorteile wie Einsparungen bei Systemkosten und -größe aufgrund der reduzierten Kühlanforderungen. Zudem ermöglicht sie eine höhere Frequenz und eine höhere Leistungsdichte.
Technische Spezifikationen
CoolSiC 6G 650V
650V
6.9nC
10-polig
Oberflächenmontage
No SVHC (27-Jun-2018)
Einfach
13A
HDSOP
175°C
-
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
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