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IAUT150N10S5N035ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.003 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
Bestellbar
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 1,610 € |
| 500+ | 1,420 € |
| 1000+ | 1,350 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
166,00 € (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIAUT150N10S5N035ATMA1
Bestellnummer2888475RL
ProduktpaletteOptiMOS 5
Auch bekannt alsIAUT150N10S5N035, SP001416126
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id150A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.003ohm
Bauform - TransistorHSOF
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung166W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS 5
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
150A
Bauform - Transistor
HSOF
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
166W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.003ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung