Seite drucken
GS66516BTRXUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
Bestellbar
melden Sie sich bei Interesse hier an
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 39,120 € |
| 5+ | 33,580 € |
| 10+ | 28,030 € |
| 50+ | 27,470 € |
| 100+ | 26,910 € |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
39,12 € (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerGS66516BTRXUMA1
Bestellnummer4715924
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id60A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.032ohm
Gate-Ladung, typ.14.2nC
Bauform - TransistorGaNPX
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins6Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.032ohm
Bauform - Transistor
GaNPX
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
60A
Gate-Ladung, typ.
14.2nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung