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GS66504BTRXUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 15 A, 0.13 ohm, 3.3 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 15,050 € |
| 5+ | 14,210 € |
| 10+ | 13,350 € |
| 50+ | 12,900 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerGS66504BTRXUMA1
Bestellnummer4715917
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.13ohm
Gate-Ladung, typ.3.3nC
Bauform - TransistorGaNPX
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.13ohm
Bauform - Transistor
GaNPX
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
15A
Gate-Ladung, typ.
3.3nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001