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GS0650146LRMRXUSA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 15.2 A, 0.138 ohm, 2.7 nC, PDFN, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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|---|---|
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| 5+ | 4,450 € |
| 10+ | 4,180 € |
| 50+ | 4,030 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerGS0650146LRMRXUSA1
Bestellnummer4715951
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds700V
Dauer-Drainstrom Id15.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.138ohm
Gate-Ladung, typ.2.7nC
Bauform - TransistorPDFN
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
700V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.138ohm
Bauform - Transistor
PDFN
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
15.2A
Gate-Ladung, typ.
2.7nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung