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GS0650086LTRXUMA1
Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 8.8 A, 0.235 ohm, 1.6 nC, PDFN, Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 3,120 € |
| 5+ | 2,950 € |
| 10+ | 2,770 € |
| 50+ | 2,680 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerGS0650086LTRXUMA1
Bestellnummer4715945
Technisches Datenblatt
Drain-Source-Spannung Vds700V
Dauer-Drainstrom Id8.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.235ohm
Gate-Ladung, typ.1.6nC
Bauform - TransistorPDFN
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins8Pin(s)
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Drain-Source-Spannung Vds
700V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.235ohm
Bauform - Transistor
PDFN
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Qualifikation
-
Dauer-Drainstrom Id
8.8A
Gate-Ladung, typ.
1.6nC
Transistormontage
Oberflächenmontage
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Thailand
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung