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FZ1000R33HE3BPSA1
IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 1 kA, 2.55 V, 150 °C, Modul
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerFZ1000R33HE3BPSA1
Bestellnummer2726193
ProduktpaletteIHM-B
Auch bekannt alsFZ1000R33HE3, SP001181824
Technisches Datenblatt
IGBT-KonfigurationEinfach, Schalter
Wandlerpolaritätn-Kanal
Dauer-Kollektorstrom1kA
DC-Kollektorstrom1kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)2.55V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung2.55V
Verlustleistung-
Verlustleistung Pd-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo3.3kV
Sperrschichttemperatur Tj, max.150°C
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - TransistorModul
IGBT-AnschlussLötfahne
Kollektor-Emitter-Spannung, max.3.3kV
IGBT-TechnologieIGBT 3 [Trench/Feldstop]
TransistormontagePlatte
ProduktpaletteIHM-B
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
IGBT-Konfiguration
Einfach, Schalter
Dauer-Kollektorstrom
1kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on)
2.55V
Verlustleistung
-
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
3.3kV
Betriebstemperatur, max.
150°C
IGBT-Anschluss
Lötfahne
IGBT-Technologie
IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Produktpalette
IHM-B
Wandlerpolarität
n-Kanal
DC-Kollektorstrom
1kA
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
2.55V
Verlustleistung Pd
-
Sperrschichttemperatur Tj, max.
150°C
Bauform - Transistor
Modul
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
3.3kV
Transistormontage
Platte
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.816466
Produktnachverfolgung