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FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Modul
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerFF4MR12W2M1HB70BPSA1
Bestellnummer4313263
ProduktpaletteEasyDUAL 2B CoolSiC Series
Auch bekannt alsFF4MR12W2M1H_B70, SP005749125
Technisches Datenblatt
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 206,060 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerFF4MR12W2M1HB70BPSA1
Bestellnummer4313263
ProduktpaletteEasyDUAL 2B CoolSiC Series
Auch bekannt alsFF4MR12W2M1H_B70, SP005749125
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationHalbbrücke
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id200A
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.004ohm
Bauform - TransistorModul
Anzahl der Pins36Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.15V
Verlustleistung20mW
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteEasyDUAL 2B CoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Halbbrücke
Dauer-Drainstrom Id
200A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.004ohm
Anzahl der Pins
36Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.15V
Betriebstemperatur, max.
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Bauform - Transistor
Modul
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
20mW
Produktpalette
EasyDUAL 2B CoolSiC Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.039
Produktnachverfolgung