BTS640S2GATMA1
Leistungsschalter, SIPMOS-Technologie, TO-263-7
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 1+ | 4,280 € |
| 10+ | 3,300 € |
| 25+ | 3,040 € |
| 50+ | 2,900 € |
| 100+ | 2,750 € |
| 250+ | 2,620 € |
| 500+ | 2,530 € |
| 1000+ | 2,460 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
BTS640S2G ist ein vertikaler High-Side-n-Kanal-Leistungs-FET-Schalter mit Ladungspumpe und massebezogenem, CMOS-kompatiblem Eingang sowie Diagnoserückmeldung und proportionaler Laststrommessung, monolithisch integriert in Smart SIPMOS®-Technologie. Dieser Baustein verfügt über integrierte Schutzfunktionen, einschließlich Unterspannungs- und Überspannungsschutz mit automatischem Neustart und Hysterese.
- Kurzschlussschutz
- Strombegrenzung
- Proportionale Laststrommessung
- CMOS-kompatibler Eingang
- Open-Drain-Diagnoseausgang
- Schnelle Entmagnetisierung induktiver Lasten
- Überlastschutz
- Überhitzungsschutz
- Überspannungsschutz einschließlich Load-Dump
- Verpolungsschutz
- Schutz vor Erdungsverlust und Schutz vor Verlust von VBB
- Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD)
- Hochspannungsfestigkeit
- Hervorragende Robustheit
Anwendungen
Industrie, Computer & Computerperipheriegeräte, Fahrzeugelektronik
Hinweise
ESD-empfindliche Bauelemente! Handhabung nur mit geeigneten Schutzmaßnahmen!
Technische Spezifikationen
High-Side
34V
0.03ohm
7Pin(s)
Aktiv-High
-40°C
AEC-Q100
MSL 3 - 168 Stunden
AEC-Q100
1Kanäle
24A
TO-263 (D2PAK)
Ja
1Ausgänge
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
TO-263 (D2PAK)
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat