BTS640S2GATMA1

BTS640S2G ist ein vertikaler High-Side-n-Kanal-Leistungs-FET-Schalter mit Ladungspumpe und massebezogenem, CMOS-kompatiblem Eingang sowie Diagnoserückmeldung und proportionaler Laststrommessung, monolithisch integriert in Smart SIPMOS®-Technologie. Dieser Baustein verfügt über integrierte Schutzfunktionen, einschließlich Unterspannungs- und Überspannungsschutz mit automatischem Neustart und Hysterese.

• Kurzschlussschutz
• Strombegrenzung
• Proportionale Laststrommessung
• CMOS-kompatibler Eingang
• Open-Drain-Diagnoseausgang
• Schnelle Entmagnetisierung induktiver Lasten
• Überlastschutz
• Überhitzungsschutz
• Überspannungsschutz einschließlich Load-Dump
• Verpolungsschutz
• Schutz vor Erdungsverlust und Schutz vor Verlust von VBB
• Schutz vor elektrostatischer Entladung (ESD)
• Hochspannungsfestigkeit
• Hervorragende Robustheit

Anwendungen

Industrie, Computer & Computerperipheriegeräte, Fahrzeugelektronik

Hinweise

ESD-empfindliche Bauelemente! Handhabung nur mit geeigneten Schutzmaßnahmen!