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BSZ0506NSATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0044 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 50+ | 0,466 € |
| 250+ | 0,372 € |
| 1000+ | 0,302 € |
| 3000+ | 0,296 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSZ0506NSATMA1
Bestellnummer2725823RL
ProduktpaletteOptiMOS 5
Auch bekannt alsBSZ0506NS, SP001281636
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0044ohm
Bauform - TransistorTSDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung27W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpaletteOptiMOS 5
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
40A
Bauform - Transistor
TSDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
27W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0044ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BSZ0506NSATMA1
7 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000389