BSZ042N06NSATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0042 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | Preis (ohne MwSt.) |
|---|---|
| 100+ | 0,684 € |
| 500+ | 0,575 € |
| 1000+ | 0,546 € |
| 5000+ | 0,489 € |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell BSZ042N06NS handelt es sich um einen OptiMOS™-n-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen (SNT). Zudem kann dieser Baustein für zahlreiche industrielle Anwendungen eingesetzt werden, einschließlich Mikro-Solarwechselrichter und DC/DC-Wandler mit hoher Schaltfrequenz.
- Höchster Systemwirkungsgrad
- Erfordert weniger Parallelschaltung
- Höhere Leistungsdichte
- Sehr geringes Spannungsüberschwingen
- Schutzart: MSL1
- 40% niedrigerer RDS (ON) im Vergleich zu alternativen Bausteinen
- Verbesserung der Gütezahl (FOM) um 40% im Vergleich zu ähnlichen Bausteinen
- 100% Avalanche-getestet
- Herausragender Wärmewiderstand
- Nach JEDEC qualifiziert für Zielanwendungen
- Halogenfrei, umweltfreundlich
- Zuverlässigere Lötstellen dank der größeren Quellenverbindung
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie, Kommunikation & Netzwerke, Computer & Computerperipheriegeräte, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte
Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
40A
TSDSON
10V
69W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
60V
0.0042ohm
Oberflächenmontage
2.8V
8Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für BSZ042N06NSATMA1
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat