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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSS806NEH6327XTSA1
Bestellnummer2480654RL
Auch bekannt alsBSS806NE H6327 , SP000999336
Technisches Datenblatt
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Menge | Preis (ohne MwSt.) |
---|---|
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500+ | 0,0911 € |
1500+ | 0,0862 € |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerBSS806NEH6327XTSA1
Bestellnummer2480654RL
Auch bekannt alsBSS806NE H6327 , SP000999336
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds20V
Dauer-Drainstrom Id2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.057ohm
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung2.5V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.550mV
Verlustleistung500mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
- OptiMOS™-2-n-Kanal-Kleinsignaltransistor
- Anreicherungstyp
- Ultra-Logikpegel (1.8V Nennspannung)
- ESD-Schutz
- Avalanche-fähig
- Qualifiziert nach AEC Q101
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
2.3A
Bauform - Transistor
SOT-23
Rds(on)-Prüfspannung
2.5V
Verlustleistung
500mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.057ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
550mV
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Alternativen für BSS806NEH6327XTSA1
2 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000008
Produktnachverfolgung